BFG480W |
RFQ for BFG480W Required Field |
 |
| Technical/Catalog Information | BFG480W,115 |
| Vendor | NXP Semiconductors |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Frequency - Transition | 21GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 2GHz |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 80mA, 2V |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.5V |
| Gain | 16dB |
| Power - Max | 360mW |
| Compression Point (P1dB) | 20dBm |
| Package / Case | CMPAK-4 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Drawing Number | 568; SOT343R; ; |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | BFG480W,115 BFG480W,115 568 1982 2 ND 56819822ND 568-1982-2 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| BFG480W | - | 06+ | - |
NPN double polysilicon wideband transistor with buried layer for low voltage applications in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.
Typical Application |
Features |
| · RF front end with high linearity system demands (CDMA)· Common emitter class AB driver. | · High power gain· High efficiency· Low noise figure· High transition frequency· Emitter is thermal lead· Low feedback capacitance· Linear and non-linear operation. |
| SYMBOL | PARAMETER | CONDITIONS |
TYP. |
MAX. |
UNIT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VCBO | collector-base voltage | open base |
- |
4.5 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IC | DC collector current |
80 |
250 |
mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ptot | total power dissipation | Ts 60 °C |
- |
360 |
mW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| fT | transition frequency | IC = 80 mA; VCE = 2 V; f = 2 GHz; Tamb = 25 °C |
21 |
- |
GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gmax | maximum gain | IC = 80 mA; VCE = 2 V; f = 2 GHz; Tamb = 25 °C |
16 |
- |
dB | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F | noise figure | IC = 8 mA; VCE = 2 V; f = 2 MHz; GS = Gopt |
1.8 |
- |
dB | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP | power gain | Pulsed; class-AB; < 1 : 2; tp = 5 ms; VCE = 3.6 V; f = 2 GHz; PL = 100 mW |
13.5 |
- |
| Models | MFG | Pack |
| BFG10 | SOT-143 | |
| BFG10/X | SMD | |
| BFG10\N71 | ||
| BFG10\X | ||
| BFG10W | SOT-343 | |
| BFG10W / T5 | ||
| BFG10W/X | ||
| BFG10W/X115 | ||
| BFG10WX | ||
| BFG10W-X | ||
| BFG10X | 06+ | |
| BFG11 | ||
| BFG11/X | SOT143 | |
| BFG11/X215 | ||
| BFG11\M73 | ||
| BFG11\X | ||
| BFG11W | SOT-343 | |
| BFG11W/X | ||
| BFG11WX | ||
| BFG11X | 06+ | |
| BFG134 | ||
| BFG135 | SOT223 | |
| BFG135 T/R | ||
| BFG135A | ||
| BFG135AE6327 | ||
| BFG16A | SOT-223 | |
| BFG17 | ||
| BFG17A | 2008 | |
| BFG193 | SOT223 | |
| BFG193 / BFG193 | ||
| BFG425W,115 | ||
| BFG425W | ||
| BFG424W,115 | ||
| BFG424F,115 | ||
| BFG424F | ||
| BFG410W,115 | ||
| BFG410W | ||
| BFG403W,115 | ||
| BFG403W | ||
| BFG35,115 | ||
| BFG35 | ||
| BFG325W/XR,115 | ||
| BFG325/XR,215 | ||
| BFG310XP | ||
| BFG310W/XR,115 | ||
| BFG310W | ||
| BFG310/XR,215 | ||
| BFG31,115 | ||
| BFG31 | ||
| BFG25X |
